DRAM技术向10nm级将再遇挑战？
Helan 2014-09-23 13:23日前三星电子宣布，开始量产业界首见的6Gb 20奈米制程LPDDR3移动DRAM，新技术可以提升30%以上的生产力，体积缩小20%，电力消耗量也可以节省10%以上，更重要的是可以大幅减少成本，同时拉开与对手的技术差距。除了三星，美光也在年底大规模量产20nm纳米DRAM，SK Hynix制程技术也在向20nm迈进。
近几年Mobile DRAM需求超越PC用DRAM，三星此次研发出的20奈米Mobile DRAM，虽不会大幅改变市占率，但由于生产力的上升，获利也将大幅提高，可以改善三星业绩。南韩业界预期在2014年营利将可以来到8兆韩元(约77亿美元)左右，而2015年则有望成长超过9兆韩元。
三星内存事业部营销团队常务白志浩(音译)则自信满满的表示，此次推出的20奈米Mobile DRAM将能称霸高性能Mobile DRAM市场，未来将会搭载在旗舰智能型手机、平板计算机、穿戴式装置等产品上。
业界预计三星在2014年正式量产20奈米产品后，极有可能率先进入10奈米级时代。但值得注意的是，上游芯片厂在NAND Flash纳米制程向10nm级切换时，制程切换时程相对20nm级减缓，也遇量产不顺的情况，如今DRAM纳米制程即将进入10nm级，制程技术到20nm后生产难度提高，量产出现问题的几率增加，若制程切换量产不顺将直接影响到市场供应量，2015年DRAM将再遇技术挑战，或者再遇一波供需变动？
在DRAM市场上，仅三星、美光、SK Hynix三家能持续稳定大陆供货，在智能型手机，平板、电脑出货不断增加推动下，市场供应一直吃紧，尤其是Mobile DRAM。目前三星已计划将位于韩国华城的新厂S3 (Line17)用于10nm等级技术量产DRAM，一方面以防10nm等级技术量产出现不顺，影响市场供应，另一方面也是因应市场需求而增加供应。
