存储器大厂美光昨（3）日宣布，全力冲刺16nm TLC（三阶储存单元）NAND Flash，并获创见、威刚、慧荣、希捷等大厂声援，台封测厂力成也沾光。

美光表示，16nm 128Mb NAND芯片已可开始供货，全新16nm NAND芯片已导入与台湾多家大厂合作，为凸显这项新芯片将全力抢攻消费性的U盘和固态硬盘（SSD）市场，特地选在台北国际电脑展正式发表全新的存储器。

美光目前在全球NAND Flash市占排行仍落后南韩三星和SK海力士，但不让韩厂专美于前，美光今年火力全力，加速16nm制程及3D NADN Flash脚步。

美光储存事业部营销总监Kevin Kilbuck表示，美光的16nm制程，已通过严格认证，且具可靠性，加上在同一单元装入三个位元，因此随着制程推进，也加速存储器芯片成本下降，进而压低SSD成本，让SSD在各领域的渗透率快速提升。

美光看好全新的NAND Flash芯片，可望切入消费、移动通讯至企业应用，嵌入式、资料中心和汽车等产品市场，而且与创见、威刚、慧荣、Tigo、希捷等主要存储器客户及全球合作伙伴已开始全新16nm NAND芯片导入最新设计整合，加速其在终端应用市场的采用。

法人预期，美光也将增加力成NAND Flash芯片后段封测订单，预料随着美光产量提升，力成营运也可望同步提升。

他强调，美光目前已有50%的NAND Flash芯片导入16nm量产，正全力加速提升占比。