据韩媒报道，三星电子DS部门内存事业部产品策划团队负责人崔长锡近日首次系统披露三星面向未来的内存技术路线图。

三星将技术方向凝练为CUBE战略——Capacity（容量）、Utilization（优化）、Bandwidth（带宽）、Efficiency（功耗与散热效率），通过3D结构创新同步突破容量、带宽与能效瓶颈，产品线从通用DRAM、NAND扩展至HBM、企业级SSD及下一代zHBM、zNAND-O，形成覆盖AI内存全场景的产品矩阵。

在容量方面，三星提出了一种通过垂直堆叠来增加内存容量，而无需扩大PCB面积的方向；利用率方面的研究重点在于如何安排每一层中的存储器和逻辑电路，而不仅仅局限于简单的堆叠。三星透露，通过大幅缩短芯片间的距离，形成垂直高速公路，可以显著提高带宽。就功率和热效率而言，关键在于降低数据传输所需的能量。3D技术的最终目标是降低传输单个比特数据所需的能量，三星正在通过提高结构效率来最大限度地提高每瓦性能。

HBM5：性能翻倍

三星今年5月开始出货12层HBM4E样品，正在开发中的HBM5瞄准AI加速器对高性能、低功耗的需求，核心目标：性能达到HBM4E的2倍、每瓦性能提升20%、热阻降低20%。

zHBM：跨代飞跃

HBM5之后的zHBM将实现更大幅度的性能跃升：性能将达到HBM4E的8倍、每瓦性能提升3倍、热阻降低75%~90%。

zNAND-O：为大语言模型量身打造

三星还在推进面向大语言模型（LLM）大容量内存需求的zNAND-O开发，并计划于2028年开始zNAND-O的样品供应。其目标参数如下：

比特密度：较DRAM提升10倍

读取带宽：较NAND提升7倍

功耗效率：较NAND提升7倍