2015年智能型手机向64位、八核发展，其应用功能越来越强大，Android 5.0所需更多的空间存储源代码，用户娱乐、游戏以及客户端数据存储量与日俱增，为了满足消费者日益增长的存储需求，2014年苹果iPhone 6引领市场向128GB存储推进，2015上半年三星Galaxy S6、乐视超级手机乐Max也增加了128GB选择，预计下半年三星Note 5、Lumia 940、小米5等也将推出128GB容量，同时也包括苹果的iPhone 6s，2016年将开启智能型手机大容量存储时代。

上游原厂三星、东芝/闪迪、美光、SK海力士NAND Flash制造工艺已在2014年全面转进1ynm，为了应对市场大容量的存储需求，2015年要向1znm转进提升NAND Flash产量。然而，越来越接近物理量产极限的制造工艺量产难度增加，基于TLC 3-bit-per-cell容量优势，上游原厂在2015年全面提高1ynm TLC量产比重，预计较1ynm MLC工艺每片Wafer可最高增加30%的NAND Flash产能。

在上游原厂中三星2014下半年16nm TLC/MLC已经大规模量产，并广泛应用于eMMC和SSD产品中，2015年推出128GB TLC eMMC产品。此外，2015年东芝/闪迪也将提高15nm TLC量产比重，美光积极导入TLC，其采用16nm工艺的128Gb TLC将用在下半年推出的SSD新品上，而且曾预估到2016年采用TLC的SSD将占50%的比重。SK海力士从Q2开始量产16nm TLC，由于16nm TLC品质稳定，已通过苹果认证，并希望2015年TLC能达到整体NAND Flash营收的10%。

随着原厂制造工艺不断的发展，NAND Flash成本下滑，擦写寿命降低，要求控制芯片的ECC纠错能力也就越高，尤其是TLC写寿命仅500--1000次，需72bit甚至更高的ECC。为了改善TLC的使用寿命和读写性能，NAND Flash控制芯片的纠错技术由BCH向低密度奇偶校验码LDPC过渡，尤其是表现在SSD 控制芯片上。2015年在原厂大力推广TLC的趋势下，以及控制芯片支持TLC的推波助澜，将加速TLC进入主流市场。