2D技术再往1ynm以下发展，NAND Flash Die容量很难有明显的提升，良率也会受到影响，而且性能、成本等缺乏竞争力，3D技术开启了NAND Flash技术新时代。三星最早在2013年推出24层3D V-NAND，2014下半年在中国大陆西安新建工厂专注于量产32层MLC 3D V-NAND，2015年将32层TLC 3D V-NAND用于三星850 EVO SSD上，并计划在Q3开始投入48层3D V-NAND量产，同时规划64层3D V-NAND量产时程。为了稳固三星在技术上的领导地位，三星除了大陆西安厂，还投资150亿美金新建平泽工厂，主要用于2D 10nm工艺和3D技术的发展，预计2017年产线投入生产。

三星在3D NAND技术上领先，东芝/闪迪对外宣布将在2015下半年量产48层3D NAND，欲追上三星的步伐，而且除Fab 5二期工厂，还将Fab 2进行改建用于3D NAND量产专用，预计2016年开始投入生产；美光3D NAND预计将在2016年初量产出货，采用32层MLC架构容量可达256Gb，TLC架构更是达到384Gb，并投资40亿美金扩建新加坡的Fab 10x工厂，预估满载月产能在14万片左右，根据市场需求量，从2016年底开始以平均每年40%-50%的bit成长率增加；SK 海力士2015下半年采用36层量产3D NAND，并将在年底规划48层3D NAND量产。2015上半年东芝/闪迪、美光、SK海力士宣称将从2015下半年陆续量产3D NAND，2016年3D NAND大战将一触即发。

与2D工艺相比，3D技术具有四个明显的优势：更高的速度，更低的功耗、更长的使用寿命和更大的容量。目前三星3D技术最为成熟，与1xnm TLC工艺相比，三星32层TLC V-NAND具有更大的续航力和更低的功耗，而且三星采用32层V-NAND生产的850 Pro系列SSD已将使用寿命从标准的3年延长至10年，产品可靠性提高了3倍。更值得注意的是2D工艺目前最大可量产128Gb，256Gb量产难度较大，品质和良率不稳定，3D技术的扩展性可向48层、64层、96层TLC架构延伸性发展，2017年100层TLC堆叠可实现1Tb容量，轻松突破2D工艺最大容量的限制。

来源：三星、美光官网

虽然3D NAND在容量、性能、可靠性等方面表现突出，但是以三星目前32层TLC 3D V-NAND成本来看，仅介于2D工艺19nm TLC与16nm TLC之间，所以还没有明显的成本优势，对2015上半年市场价格也并没有造成很大的压力。随着三星48层TLC 3D NAND在下半年量产，以及东芝/闪迪、美光等3D NAND在2015年底开始陆续量产出货，将加速凸显3D NAND的成本优势，预计到2016年底3D NAND市场占有率将达20%，2018年达到40%，逐渐成为主流NAND Flash。