据传三星电子和SK海力士(SK Hynix)将大买设备，积极投资3D NAND Flash；另外DRAM也将转进新制程，拉高战力。

韩媒6日报导，存储器大厂争相量产3D NAND Flash，新制程和传统NAND Flash相比，差别在于从平面改为立体，能层层堆栈，提高效能。据了解，由2D转进3D NAND Flash，显影制程不变，但是金属化和刻蚀步骤将分别增加50~60%、30~40%，需要采购不少新设备。

据了解，三星最早量产3D NAND Flash，目前正在扩充西安3D NAND Flash厂产线，盼将堆栈层数从32层提高到48层。与此同时，SK海力士也增加投资，预定今年下半量产3D NAND Flash，将打造36层的3D NAND Flash产线。

DRAM方面，今年下半年，三星拟把20奈米DRAM制程比重提高到20%，SK海力士则要将25奈米DRAM制程比重提高至60%。为了转进新制程，两家公司都将大肆采购。