3D NAND技术竞争加剧 三星拟提前生产48层V-NAND
Helan 2015-08-07 12:05近日，上游NAND Flash芯片厂新闻不断，首先是美光联合英特尔发布变革性存储技术3D XPoint，随后东芝和SanDisk宣布生产256Gb 3-bit-per-cell（X3）架构48层的3D NAND芯片，而且市场分析苹果iPhone 7有可能会搭载3D NAND芯片，SK海力士则和SanDisk达成长期合作协议。
上游芯片厂之间的竞争加剧，尤其是尖端技术上的竞争再度升温，NAND Flash龙头大厂三星早在两年前率先投入3D NAND生产，为了确保其领先地位，可能将提前量产48层V-NAND，预计将在Q3季度内生产，2016年推出64层堆栈的V-NAND。三星存储器事业部专务白志镐(音译)在发表Q2财报时也表示，最晚10月将推出第三代48层V-NAND。
另一方面，三星受智能型手机需求下滑影响，公司整体营收利润从2013年Q4开始持续下滑。2015年三星希望借精心设计的Galaxy S6扭转移动业务颓势局面，然而Galaxy S6整体销售低于预期，而且在中国市场份额下滑，最新公布的Q2运营利润6.9万亿韩元，依然同比下滑4%，移动业务利润更是同比下滑38%。在全球智能型手机市场需求成长趋缓的大环境下，三星想凭借智能型手机重回昔日风光可谓举步维艰。
三星Q2营收财报
三星Q2财报中虽然整体营收、利润等均同比下滑，但反观半导体营收却表现出同比增长的趋势，尤其是Memory营收出现23%的增长幅度，半导体营收利润更是大幅增长。
三星加快48层3D V-NAND量产，也是为了借3D V-NAND高耐用性、大容量、高性能等优势，提升高阶产品性能，以及提升NAND Flash成本竞争力，以低成本获取更高的产品效益。此外，三星还扩大20nm DDR4/LPDDR4生产，采用先进的工艺以获得高阶产品可观的收益。
