英特尔、美光于7月29日宣布开发出新世代存储器技术3D Xpoint，存储的资料比DRAM高出十倍，读写速度与耐受度更是NAND存储器的1千倍之多，如此革新的技术让三星电子、SK Hynix大为紧张。

BusinessKorea 7日报导，3D XPoint类似次世代ReRAM或PRAM科技，能完全改变资料存储的方式，半导体专家相信，自从东芝在1987年首次展示NAND存储器之后，3D XPoint会是这30年间一个相当重要的变革。

NAND存储器在读取或写入资料时，不会直接针对某个存储器单元动作，而是会读取一整排的单元、然后选出需要的信息。相较之下，3D XPoint则可指定特定的存储器单元、经由电路把资料存入，这些电路被排列成水平与垂直线，其交会点可为每一个单元创造位址。

这种技术能够轻松复制三星独家生产的3D V-NAND。英特尔指出，3D XPoint能够建立3D架构、把存储器单元层层堆栈，而由于这些单元是被摆在电路中间，因此的确能够设计出一个多层架构、把单元与电路依序堆栈起来。

英特尔预计今(2015)年下半年就能将3D XPoint存储器原型配送给企业伙伴，还打算在8月18-20日的旧金山开发者论坛(IDF)发布全新产品系列、预计采用3D Xpoint的产品将在2016年问世。BusinessKorea引述业界人士指出，三星、SK Hynix原本认为英特尔的世代存储器最快也得等到2019年才能量产，怎知英特尔与美光的速度如此之快、让人大吃一惊，也促使他们加快脚步投资次世代存储器芯片。