IHS预计Q3 3D V-NAND产出比重将达17%
Helan 2015-08-11 14:16据报导，市调机构IHS发表研究报告指出，今(2015)年第3季(7-9月)期间三星电子产出的存储器当中有75%会是10nm等级的NAND存储器、17%则将是3D V-NAND。三星的先进制程占比在今年Q1还只有49%，到了Q2就一举跃升至72%，Q3还将进一步上升至超过90%，进展的速度相当惊人。
相较之下，美光虽努力拉高15-19nm的制程技术占比、达到76%，但至今仍未开始量产3D NAND或是10-14nm制程的存储器。
