JEDEC（固态技术协会）今日发布JESD209-5，即LPDDR5低功耗内存标准。事实上，早在去年7月三星就宣布成功开发业界首款10nm级8Gb LPDDR5 DRAM，且已与全球领先芯片供应商共同完成了由八颗8Gb LPDDR5芯片封装组成8GB LPDDR5 DRAM功能测试和验证。三星将在韩国平泽工厂量产LPDDR5芯片。三星曾在高通4G/5G峰会上透露，LPDDR5将在2020年进入商用。

与前一代LPDDR4  I/O速度3200 MT/s相比，LPDDR5 I/O速度再次翻倍达6400 MT/s，即每秒可以传送51.2GB的数据，相当于大约14个全高清视频文件（3.7GB/个）。这将显著提高智能手机、平板电脑、超薄笔记本电脑等各种应用的存储性能和效率。这一性能的提升，源于对LPDDR5体系结构进行了重新设计，转向最高16 Bank可编程和多时钟体系结构。

此外，LPDDR5还引入了两个基于命令的新操作：Data-Copy和Write-X，Data-Copy命令可将单个I/O引脚上传输的数据复制到其他I/O引脚，无需将数据传输到其他引脚。Write-X命令指示器件将全1或全0写入特定地址，无需将数据从SoC发送到LPDDR5器件。采用这些新命令可减少数据传输从而有助于降低整体系统功耗。

为了满足汽车等市场对数据高可靠性的需求，LPDDR5在SoC和DRAM之间的接口上引入了纠错码（ECC）。