继东芝和西部数据推出采用96层3D NAND的UFS3.0产品后，三星宣布基于第五代V-NAND的512GB eUFS 3.0已大规模量产，新的eUFS3.0具有高达2100MB/s的读取速度，是SATA SSD的四倍，写入速度达到410MB/s，相当于SATA SSD的速度。

三星为下一代移动设备大规模量产的512GB eUFS3.0，其读速度性能是上一代eUFS 2.1的两倍，满足高分辨率屏幕、多摄像头等智能手机的发展和用户体验。三星所推出的eUFS 3.0将提供128GB和512GB容量，三星还计划在下半年推出1TB版本。

三星512GB eUFS 3.0由八颗第五代的512Gb V-NAND裸片堆叠而成，并集成了高性能控制器，新的eUFS3.0具有高达2100MB/s的读取速度，是SATA SSD的四倍，比传统microSD卡速度快20倍，写入速度也提高了50%，达到410MB/s，相当于SATA SSD的速度。三星512GB eUFS 3.0相较于eUFS 2.1，在随机读写性能上提高了36%，分别为63K和68K IOPS。

三星存储销售和营销执行副总裁Cheol Choi表示，“我们开始大规模生产的eUFS 3.0系列产品，以及晚些时候推出的1TB版本，将为下一代移动市场带来了更优的体验，其将提供超薄笔记本电脑所拥有的读取速度，加速移动市场快速发展。”