在11月2日举办的台积电33周年庆典中，董事长、联席CEO刘德音谈及台积电先进工艺规划表示，最先进的2nm工艺也进入了先导规划中，明年则会量产5nm工艺。

刘德音表示，台积电的7nm工艺N7已经独步全球两年，产出了超过100万片12英寸晶圆，首发EUV工艺的N7+也在今年6月份正式量产。

再往后就是5nm节点，刘德音表示新竹的Fab 12、台南的Fab 18工厂进展顺利，客户也十分满意，2020年就会量产。

至于研发、建设中的工艺，刘德音表示3nm工艺正在依照计划进行，而更先进的2nm工艺也正式进入了先导规划阶段，这也是今年6月份宣布研发2nm之后台积电官方再一次明确2nm工艺的进展。

根据台积电之前的规划，2nm工艺是一个重要节点，Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，相比于3nm都小了23％。