GlobalFoundries与 SiFive 周二宣布，两家公司将共同开发基于 12LP / 12LP+ FinFET 工艺的 HBM2E 存储器。

打包的这一 IP，使得 SoC 设计人员能够将 HBM2E 快速集成到需要大量带宽的芯片设计中。具体说来是，两家公司的 HBM2E 实施方案包括了GlobalFoundries设计的 2.5D 封装（中间层），以及 SiFive 开发的 HBM2E 接口层。

除了 HBM2E 技术，SiFive 还允许被授权放使用该公司的 RISC-V 产品组合、以及GlobalFoundries的 12 / 12LP+ DesignShare IP 生态系统，使得 SoC 开发人员能够基于GlobalFoundries先进的制造技术，来打造基于 RISC-V 的设备。

两家公司指出，12LP+ 制造工艺和 HBM2E 的实施，将主要用于先进的人工智能训练和推理应用，并希望供应商对 TOPS 性能进行优化。

此外，对于GlobalFoundries而言，其需要特殊的工艺、且可能由于成本或其它原因，而无法为应对台积电和三星的领先工艺做好准备。

至于 SiFive 的合作，本身也有点棘手，毕竟 RISC-V 本身不太可能用于深度学习加速器的核心逻辑。但至少，它是可用于控制其中数据流所需的嵌入式 CPU 内核的可靠架构。

据悉，SiFive 的 HBM2E接口、以及针对格罗方德 12LP / 12LP + 技术的定制 IP，正在纽约马耳他的 GF 8 号工厂开发中。两家公司预计，其能够在 2020 上半年完成工作，届时将开放 IP 的授权工作。