据媒体报道，三星电子积极寻求极紫外光（EUV）曝光制程中的关键材料，传有意导入美国Inpria研发的无机光刻胶用于5nm以下制程研发。

光刻胶是半导体工艺制程中的关键材料，因为含有感光物质而被成为光刻胶。其技术复杂，品种较多，根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。

从组成成分看，目前，市面上的光刻胶多为有机光刻胶，但是随着工艺制程更加精细，有机光刻胶的材质更软，分子尺寸更大，光吸收率相对较低，形成精细蚀刻图案有一定难度。

据消息，美国Inpria公司研发的无机光刻胶主要以锡为主要成分的负性光刻胶，其分子大小为有机光刻胶的五分之一，光吸收率可达有机光刻胶的4-5倍，因此能更精密、更准确、更有效率的形成电路图形。另外，由于无机光刻胶材质更硬，蚀刻选择性也可提高10倍。

美国Inpria2007年从俄勒冈州立大学化学研究所独立出来的公司，2014年获得三星创投、英特尔、应用材料等业者投资，2017年三星再度追加投资。东京应化工业与JSR也是Inpria的投资者。Inpria利用2017年取得的资金建立EUV无机光阻剂测试产线，开始进行少量产品生产。

自7月份，日本宣布对韩国针对氟化氢、氟化聚酰亚胺和EUV光刻胶进行出口管制以来，韩国半导体业者一直通过增加进口渠道、促进材料本地化替代、加强半导体材料研发等手段进行应对。如果三星顺利在5nm制程中引入Inpria公司无机光刻胶将进一步降低对日本材料的依赖，为韩国半导体产业发展起到促进作用。