每周新闻报：产业热点速读
AVA 2019-12-06 20:071、价格跌无可跌，部分闪存产品价格开启涨势，后续市场将如此发展
近期市场开始逐渐回暖，部分闪存产品价格上涨，原厂也将对明年一季度部分产品进行涨价……那么，此次涨价动力为何？在消费类包括渠道市场和PC OEM市场、企业级市场以及嵌入式产品市场等又将如何发展？
2、SK海力士2020年重大重组：将合并DRAM和NAND Flash开发团队
据韩媒报道，SK海力士将在2020年进行一系列的人事调动和业务重组，其中会将DRAM和NAND Flash两大开发部门整合在一起，实现从开发、制造，以及业务的后期处理等统一的管理。
SK海力士开发制造总裁 Jin Kyo-won
图片来源：SK海力士
长鑫存储技术有限公司与 Quarterhill Inc.(多伦多证券交易所代码 QTRH)(纳斯达克代码 QTRH)旗下的 Wi-LAN Inc. 联合宣布，就原动态随机存取存储芯片(DRAM)制造商奇梦达开发的 DRAM 专利，长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。
国家大基金一期投资的多家A股公司，受益于今年集成电路板块大涨，账面浮盈十分可观。据初步测算，截至昨日收盘，国家大基金一期持有的18家A股公司（1家为全资子公司持有，其余均为直接持股）合计浮盈251.26亿元。
5、三星提出极低温、极低压方案或将解决EUV蚀刻制程两大问题
日前，在汉阳大学研讨会中，三星半导体专家朴钟哲表示，EUV制程在蚀刻制程面对两项难题。一是电路底部形成的微桥(micro bridge)，二是因电路线幅相当窄小，蚀刻材料不易深入。
三星提出的解决方案是采用极低温与极低压。降低晶圆进入的腔体温度，可减少在无聚合物下进行蚀刻的必要气体运动，利用原本在常温相当活跃的物质，进到零下极低温会减缓运动的原理。采用可有效生成蚀刻物质的极低压方式，让腔体内的气体迅速运动，成为High Pumping蚀刻技术。
6、或将扩大中国DRAM供应，SK海力士与海太半导体签DRAM封装合作
据无锡市高新区官网消息，日前SK海力士与海太半导体在无锡举行三期合作意向签约仪式，此次签约标志着双方将在DRAM封装领域继续保持稳固的战略合作伙伴关系，加强优势互补，促进互利共赢。
Marvell公布截至2019年11月3日的2020财年第三财季业绩，数据显示，第三财季营收6.62亿美元，环比增长1%，同比下滑22%；GAAP净亏损0.83亿美元，亏损幅度较上季度更大；非GAAP净利润为1.13亿美元，第三季度运营现金流量为6600万美元。
英特尔公司宣布已完成将其大部分智能手机调制解调器业务出售给苹果的交易，这项交易价值10亿美元。苹果完成收购后，将获得英特尔当前和未来无线技术专利，与Apple现有产品组合相结合，拥有超过17,000项无线技术专利，从标准蜂窝协议到调制解调器架构和调制解调器操作。
