2019年12月16日，江苏时代全芯存储科技股份有限公司（AMT）举办了一场AMT & AMS首款PCM产品EEPROM交付仪式和第二款产品NOR FLASH发布会。

AMT董事张祥邦先生与深圳安软锐通科技有限公司总经理薛景清先生共同进行AMT产品销售签约仪式

AMT于2019年8月发布了首款自主研发生产的基于相变存储材料的2兆位相变存储器EEPROM—“溥元611”，是国内首批商业化量产的相变存储产品，也是公司自主研发和量产的相变存储产品。同时，产品经过后端封装，内部测试及客户应用测试，均为合格并满足交付条件。

AMT 2兆位EEPROM产品介绍
--- 采用先进的40纳米CMOS工艺制程
--- 芯片尺寸1.96 mm²
--- 数据存储前无需进行擦除动作
--- 低功耗，工作电压1.8V-3.6V，静态工作电流1uA
--- SPI接口，最大工作频率30MHz
--- 单页（256字节）写入时间小于2.5ms

AMT 2兆位EEPROM产品可靠性介绍
--- 产品耐擦写次数大于10^{^7}次
--- 强大的抗辐射性能
--- 25℃环境下数据保存时间可达100年
--- 工作温度-40℃—+85℃
--- 2kV ESD防静电保护能力

AMT第二款产品基于相变存储材料的64兆位相变存储器NOR FLASH—“溥元622”下线。AMT第二款相变存储产品NOR FLASH的发布，推动新型存储器项目在中国的产业化，其作为最有前途的新型存储器，未来市场空间巨大。
 
AMT 64兆位NOR FLASH产品介绍
---采用先进的40纳米CMOS工艺制程
---芯片尺寸13.74 mm²
---存储数据前无需进行擦除动作
---工作电压+1.8V—+3.6V
---Standard SPI、Dual SPI、Quad SPI接口，最大工作频率133MHz
 
AMT 64兆位NOR FLASH可靠性介绍
--- 产品耐擦写次数大于10^{^5}次
--- 强大的抗辐射性能
--- 25℃环境下数据保存时间20年
--- 工作温度-40℃—+85℃
--- 2kV ESD防静电保护能力

AMS总裁助理朱煜博士介绍产品相关信息及应用

AMT致力于开发及生产搭载存储PCM技术的存储产品，公司经过十年发展，于2019年8月下线首款PCM产品，填补了中国大陆不能自主研发和生产核心存储器的空白。公司拥有优秀成熟的PCM产品开发专业团队，团队由美国、中国台湾、中国大陆等地的半导体专家、博士组成，是一个国际精英人才组合，集合了各地不同的研发功能和优势，布局特有的知识产权保护体系。

AMT致力于将相变存储器产业化，走向市场，将第四代存储产品迅速推向市场和自主研发量产相变存储器也标志着公司从初创阶段正式步入了商业化阶段，助力中国实现“创芯梦”！