1、5G手机大战！手机大厂抢LPDDR5资源，DRAM需求增加

在2020年5G大战前夕，手机大厂5G手机已开始摩拳擦掌，跃跃欲试。5G手机代表着更高速度、更快的性能，以及更优的体验，而下一代存储技术将如何发展？在手机支持UFS3.0之后，2020年LPDDR5也将率先实现商用，超过PC发展。 

2、性能寿命远超NAND，MRAM离大规模应用还有多久？传三星eMRAM良率已达90%

据韩媒报道，三星电子已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器（eFlash）的嵌入式磁阻随机访问内存（eMRAM），容量为1Gb，测试芯片的良率已达90%。

MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍，此外，其制作工艺要求低，良品率高，可以很好的控制成本。在寿命方面，由于MRAM特殊的存储方式，产品的寿命耐久性也远超传统RAM。

3、三星西安二阶段项目开工，中国战略地位升级！

三星西安（中国）12英寸闪存芯片二期第二阶段项目正式开工，将投资80亿美元用于新建工厂，预计于2021年下半年竣工，将用于投产其先进的100+层3D NAND。

4、长电科技将收购ADI位于新加坡的测试厂房

长电科技将收购ADI位于新加坡的测试厂房，并将在新收购的厂房中开展更多的ADI测试业务。该厂房的最终所有权将于2021年5月移交给长电科技。

5、采购成本“水涨船高”，SSD、eMMC涨价明显，部分产品累积涨幅超过20%

由于原厂对Wafer价格涨价，且供货量有限，导致下游厂商采购成本水涨船高，再加上库存的消耗殆尽，因此刺激SSD、eMMC等相关NAND Flash产品价格表现大涨，备货需求也有所增加。

6、3D NAND将会无限堆叠？沉积和蚀刻将是制约发展的两大瓶颈

3D NAND自2013年发布以来就受到市场的高度关注，至今短短六年时间已经实现96层产品的大规模生产，预计明年将有100+层堆叠的产品面世。然而在层层堆叠的过程中，沉积和蚀刻这两项工艺将面临巨大的挑战。

7、日韩贸易战趋缓？日本宣布放宽光刻胶出口限令

日本经济省于本月20日发出通知，对被列入出口管制的三种半导体材料中的光刻胶由“个别许可”变更成将允许特定企业间交易适用期为三年。

8、2020年1月1日起我国调整部分商品进口关税，半导体设备及产品在列

经国务院批准，国务院关税税则委员会近日印发通知，自2020年1月1日起，调整部分商品进口关税。

其中，为扩大先进技术、设备和零部件进口，支持高新技术产业发展，新增或降低半导体检测分选编带机、高压涡轮间隙控制阀门、自动变速箱用液力变矩器和铝阀芯、铌铁、多元件集成电路存储器、大轴胶片原料、光刻胶用分散液、培养基等商品进口暂定税率。