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DRAM 25nm制程良率不佳,致华邦电全年获利创6年来新低

AVA 2020-02-10 11:36

受存储器价格下跌与需求影响,华邦电2019年营收年减4.74%至487.71亿元(新台币,下同),营业毛利率降至27%,其归属母公司净利为12.56亿元,年减逾8成,关键在于第4季由盈转亏,每股亏损达0.05元,平均毛利率也降到22%,明显低于第3季的27%。

从产品组合来看,DRAM产品事业群含利基型存储器及移动存储器产品线占2019年全年营收为 49%,营收较2018年度减少14%,主要受到价格影响导致,而25nm DRAM产品已逐步贡献挹注营收,至于Flash产品线占2019年全年营收为51%,营收表现持稳,全年出货量创新高纪录。

存储器产品营收的应用类别,分为消费性电子(Consumer)占28%、通讯电子(Communication)占30%、计算机相关(Computer)占22%、车用及工业用相关(Car&Industrial)占20%,詹东义表示,未来目标将以车用及工业比重拉升至3成为目标。

2019年第四季度华邦电NAND Flash产品线出货量创历史新高纪录,然而由于ASP价格走跌以及自主研发25nm制程良率不佳,导致DRAM产品出货意外下滑,造成单季亏损1.47亿元,全年获利创下近6年来新低。

华邦电总经理詹东义表示,影响营运表现的三大主要关键在于制程良率、产品以及客户,目前25nm转换将不成问题,预计3月起良率将可改善,可望从第2季后提供正常良率与测试品。将积极争取优质客户合作。

此外,华邦电2019年开发出2Gb LPDDR4产品,以及针对AIoT与5G应用都开发出新产品,将可望成为杀出新蓝海的产品线。在良率、产品都可望迎刃而解下,目前只欠客户量产搭配出货。

比较2019年Flash与DRAM价格跌幅,詹东义表示,两大产品线的跌价相近,但2019年2019年DRAM产能供过于求,导致竞争者价格抢单,而25nm制程在转换过程中面临市况不佳以及价格不佳,在制程升级初期的成本结构较高,而Flash产品虽然也面临ASP下滑,但华邦电具有较大市占率以及整体成本具有经济规模,故产品毛利率较为稳定。

华邦电表示,未来将持续提升制程,进一步推动20纳米制程,而台中厂从月产能5.2万片提升至5.4万片,DRAM与Flash产品各占一半,未来产值将更高,至于高雄路竹新厂的量产时程将延后,为了达到量产初期的营运快速提升,将在2020年台中厂先完成20纳米制程研发后再导入。

根据规划,华邦电2020年资本支出约143亿元,比2019年的132亿元增加,维持近4年以来的积极投资布局的方向。

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