ST与台积电正在合作加速氮化镓（GaN）工艺技术的开发，以及向市场提供分立和集成GaN器件。通过此次合作，意法半导体的创新和战略性氮化镓产品将使用台积电领先的氮化镓工艺技术制造。

GaN是一种宽带隙半导体材料，与用于功率应用的传统硅基半导体相比，具有明显的优势。这些好处包括更高功率下的更高能源效率，从而大大降低了寄生功率损耗。GaN技术还允许设计更紧凑的器件以实现更好的外形尺寸。此外，基于GaN的器件在较高的峰值温度下工作时，其切换速度比基于硅的器件快10倍。这些坚固且固有的材料特性使GaN非常适合在100V和650V集群中不断发展的汽车，工业，电信和特定消费类应用中广泛采用。

具体而言，与基于相同拓扑的硅技术相比，意法半导体基于GaN和GaN IC技术的产品将使ST能够以更高的效率为中高功率应用提供解决方案，包括混合动力和电动汽车的汽车转换器和充电器。功率GaN和GaN IC技术将有助于加速消费和商用车辆电气化的大趋势。

“作为宽带隙半导体技术和功率半导体领域的领导者，意法半导体在要求苛刻的汽车和工业市场中占有一席之地，ST看到了加速GaN工艺技术的开发和交付以及将功率GaN和GaN IC产品推向市场的巨大机会。台积电是值得信赖的代工合作伙伴，可以独特地满足意法半导体目标客户的挑战性可靠性和路线图发展要求。”意法半导体汽车与分立事业部总裁Marco Monti说。“这项合作是对我们在法国图尔的工厂以及与CEA-Leti开展的有关功率GaN的现有活动的补充。GaN代表了电力和智能电力电子学以及工艺技术领域的下一个重大创新。”

台积电业务发展副总裁Kevin Zhang博士说：“我们期待与意法半导体合作，并将GaN功率电子技术应用于工业和汽车电源转换。TSMC领先的GaN制造专业知识，再加上意法半导体的产品设计和汽车级鉴定能力，将为工业和汽车电源转换应用带来更大的能效改进，这些应用更加环保，并有助于加速车辆的电气化。”

意法半导体预计将在今年晚些时候向其主要客户交付首批功率GaN分立器件样品，然后在几个月内交付GaN IC产品。