英特尔宣布旗下厂房将开始为高通代工芯片，且晶圆代工事业提出扩产规划，其目标是2025年追上台积电、三星电子等竞争对手。

英特尔26日发布新闻稿揭露详尽的制程与封装科技蓝图，展示一系列基础创新，支持至2025年及以后的全新产品。英特尔并发布十多年来首见的全新晶体管架构「RibbonFET」、业界首见晶背电源供应(backside power delivery)技术「PowerVia」，同时还将迅速采纳次世代极紫外光(EUV)微影设备，即「高数值孔径(high-numerical aperture, High-Na)」EUV设备。英特尔计划取得业界首台High NA EUV生产设备。

此外，英特尔表示会改变制程技术的命名方式。举例来说，「Intel 7」制程的每瓦效能比该公司的「10nm SuperFin」制程多10~15%。Intel 7将应用于2021年为客户推出的「Alder Lake」等产品以及专为数据中心设计的「Sapphire Rapids」(预计2022年第一季投产)。

在芯片界，尺寸愈小愈好，英特尔先前使用的名称即以「纳米」暗示尺寸。不过，VLSIresearch执行长Dan Hutcheson表示，芯片业者如今的命名变得太过武断，给人英特尔制程竞争力较差的错误印象。

英特尔第一批客户将是高通与亚马逊。高通会采用英特尔「20A」制程，这项技术预计2024年开始扩充，拟运用新的晶体管科技降低芯片耗电量。

亚马逊尚未采纳英特尔芯片制造技术，但会使用其封装技术。格尔辛格说，英特尔跟这两家抢头香的客户，进行了好几个小时的深度技术交流。

Real World Technologies分析师David Kanter表示，英特尔这一次更加谨慎。过去英特尔因为傲慢，想以单一世代的制程处理多项技术问题，陷入多年延宕。如今该公司决定在四年内推五世代技术，每次处理的问题较少，也坦言即将问世的「Intel 18A」制程若还没准备好，就不会采用最新的EUV技术。