据韩媒报道，三星已经取消了增加光刻胶供应商的计划。消息人士称，该公司曾与至少四家潜在的日本供应商接触，包括世界上最大的光刻胶制造商东京应化工业，但这些公司都无法满足三星的厚度要求。到目前为止，三星电子的 3D NAND光刻胶由东进半导体独家供应。

PR是曝光过程中使用的关键材料。在曝光的过程中，根据光源的类型，使用氟化氪 (KrF) 准分子激光器、氟化氩 (ArF) 准分子激光器和浸没式 ArF 设备。在 3D NAND 闪存的情况下，将其堆叠高比像现有工艺那样缩小线宽更重要。因此，在曝光过程中，KrF比ArF使用得更多。而3D NAND 的 KrF 光刻胶的核心是厚度。 

在量产第一代 3D NAND 闪存之前，三星电子与东进半导体深度合作，并公开所有工艺步骤来鼓励开发。通过两家公司的合作，东进半导体成功开发出比现有 KrF光刻胶厚 30% 的材料。