据三星电子官网新闻，三星电子已开始批量生产第八代具有业界最高位密度的垂直 NAND (V-NAND)。新的 V-NAND 容量为 1Tb，迄今为止最高的存储容量，可为全球下一代企业服务器系统提供更大的存储空间。

三星电子闪存产品和技术执行副总裁 SungHoi Hur表示：“随着市场对更密集、更大容量的存储需求推动更高的 V-NAND 层数，三星采用先进的 3D 缩放技术来减少表面积和高度，同时避免通常在按比例缩小时发生的单元间干扰，我们的第八代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们能够更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。”

三星通过显著提高每片晶圆的比特生产率，实现了业界最高的比特密度。基于 Toggle DDR 5.0 接口 - 最新的 NAND 闪存标准- 三星的第八代 V-NAND 具有高达 2.4 Gbps 的输入和输出 (I/O) 速度，比上一代产品速度提升了 1.2 倍。这将使新的 V-NAND 能够满足 PCIe 4.0 以及更高版本的 PCIe 5.0 的性能要求。

第八代 V-NAND 有望成为存储配置的基石，有助于扩展下一代企业服务器的存储容量，同时将其应用扩展到可靠性尤为关键的汽车市场。