据韩媒报道，三星电子近日表示已开发出了以被誉为新一代封装技术的“FO-WLP”为基础的32Gb GDDR6W。

GDDR6W是比现有产品性能和容量增加两倍的新一代DRAM产品。随着高规格智能设备市场的扩大，数据激增，预计将适用于高性能游戏设备、数据中心。

三星电子表示，GDDR6W搭载FO-WLP技术，实现了业界最高性能。与以往相同大小的封装，DRAM容量从16Gb增加到32Gb。带宽性能为1.4 TB（TB/s），是以前的两倍以上。

采用FO-WLP的GDDR6W在业界尚属首次。FO是一种技术，可以将半导体输入输出端口（I/O）放置在芯片外，增加I/O数量，有利于提高芯片电性能和热效率。晶片级封装（WLP）是将芯片和仪器直接连接并封装在圆形面板上的方式，可以使用圆形晶片，可以直接利用现有工艺生产芯片。被评价为可以在降低成本的同时最大限度地提高半导体性能的技术。

半导体业界正在积极尝试通过新一代封装技术克服芯片微细化局限性。三星电子今年第二季度完成了GDDR6产品的国际半导体标准协议组织（JEDEC）标准化。

三星电子存储器事业部新事业企划组常务朴哲民表示：“通过GDDR6W，可以支援满足多种顾客要求的差别化存储器产品，将以此继续引领市场。”