据外媒报道，英特尔已完成18A（1.8nm）和20A（2nm）制程工艺的开发，该工艺将用来生产英特尔自身的产品以及为其晶圆代工客户服务。

英特尔在一次活动中表示公司已经完成了18A（1.8nm）和20A（2nm）制造工艺的开发。然而，这并不意味着该生产节点已准备好用于商业制造，而是英特尔已经确定了这两种技术的所有规格、材料、要求和性能目标。

英特尔的20A制造技术将依赖环栅RibbonFET晶体管，并将使用背面供电。预计20A制程工艺将使英特尔超越公司的竞争对手——台积电和三星代工厂。英特尔计划在2024年上半年开始商业化该节点。  

英特尔18A制造工艺将进一步完善RibbonFET和背面充电技术，并缩小晶体管尺寸。该节点的开发显然进展顺利，以至于英特尔将其推出时间从2025年提前到2024下半年。