据韩媒引述业界消息称，已证实三星电子正准备向P4引进DRAM处理设备。线路建设已全面启动，目标是明年6月投入运营，生产第六代1c制程 DRAM。

1c DRAM目前尚未商业化，三星电子和SK海力士都在积极准备量产。其中三星电子计划从今年年底开始生产1c DRAM。

此外，消息称三星电子正在考虑将1c DRAM用于HBM4（第6代HBM），计划于明年下半年出货。因此P4很有可能成为下一代HBM生产的前沿基地。

P4有望成为三星电子DRAM生产核心。就NAND而言，随着人工智能普及，需求显著增加，尤其是作为代表性存储介质的eSSD。目前，主要的NAND生产厂实际上已经全面运转（full opera）。需要额外的产能，预计将通过平泽P4工厂来实现。