据韩媒报道，三星电子MX部门在8月向DS部门表达了对即将用于Galaxy S25系列手机的1b nm（12nm级）LPDDR内存样品供应延误的担忧。三星电子自2023年5月启动1b nm工艺16Gb DDR5内存量产，并在同年9月发布1b nm 32Gb DDR5，一直在内部推进1b nm LPDDR移动内存产品的开发。

然而，据韩媒此前在今年6月11日的报道，三星电子的1b nm DRAM内存产品良率不足五成。最新的报道指出，DS部门本应在8月之前向MX部门供应一定规模的12Gb、16Gb容量1b nm LPDDR内存样品，用于Galaxy S25系列手机开发。但DS部门未能按时提供足够数量的样品。

知情人士透露，三星电子的1b nm LPDDR良率不及预期，影响了企业内部的供货时间表。MX部门已就此提出抗议，并正在重新审视Galaxy S25系列手机的DRAM供应计划。根据DRAM产业的一般规律，内存良率至少需要达到80%才能实现稳定且经济的大规模生产与供应。目前看来，三星电子的1b nm LPDDR内存良率远低于这一目标，即使在企业内部供应中也存在不足问题。

这一良率问题可能会对三星电子即将推出的Galaxy S25系列手机的开发进度造成影响，MX部门和DS部门需要尽快解决这一问题，以确保新手机能够如期上市。三星电子作为全球领先的内存制造商，其产品的良率问题也引起了业界的广泛关注，市场将密切关注三星电子如何解决这一挑战。