据外媒报道，SK海力士将引进价值约12万亿韩元（约合554亿元人民币）的极紫外光刻（EUV）设备，用于下一代DRAM和高带宽存储器（HBM）量产。这笔投资金额约占SK海力士总资产的9.97%，采购对象为荷兰半导体设备巨头ASML，交易周期预计持续至2027年12月。

EUV设备是目前实现半导体超精细工艺的关键装备，其波长仅为传统ArF光源的1/13（13.5纳米），由ASML独家生产，技术壁垒极高，最新款设备单价约3000亿韩元。此次大规模采购被业内视为SK海力士为争夺AI内存市场主导权而发起的最大规模设备投资之一。

从战略意图来看，这笔投资与SK海力士加速推进第六代（1c）DRAM制程紧密挂钩。目前SK海力士使用1b制程生产HBM4核心晶粒，计划在下一代HBM4E产品上切换至1c DRAM制程。

在产能布局方面，相关EUV设备将陆续导入正在建设的清州M15X晶圆厂及龙仁半导体集群首座工厂。据此前报道，M15X工厂第二洁净室已提前开放，设备安装计划较原定时间提前约两个月启动。龙仁首座工厂的洁净室启用时间也已从原定的2027年5月提前至2027年2月。

随着AI算力需求持续激增，存储芯片市场正经历结构性变革，HBM等高性能内存产品供不应求。SK海力士此次重金锁定EUV设备供应，既为满足当前产能需求，更为下一代内存技术竞争提前布下关键一局。