据韩媒报道，三星电子计划于2026年11月在美国得克萨斯州泰勒市正式动工建设第二座晶圆代工厂（泰勒二厂），该厂规划产能已全部被客户预订，其中大部分订单来自AMD，英伟达也有相关产能安排。三星官方表示无法确认与客户相关的具体细节。

泰勒二厂占地约约25万平方米，规模约为泰勒一厂的1.5倍，将采用2纳米制程工艺。按照当前规划，产线预计于2029年2月开始搬入设备，2030年正式量产。与泰勒一厂主要承接特斯拉AI芯片等先进逻辑代工订单不同，二厂将定向服务于AI算力产业链，专门生产高带宽内存（HBM）所需的基础裸片（base die）。

基础裸片位于HBM堆栈底部，承担信号转接、互联控制等逻辑功能，其制程水平直接影响HBM的带宽、功耗和整体性能。三星目前量产的HBM4及送样中的HBM4E均采用4纳米基础裸片，泰勒二厂的2纳米产能则面向后续更高性能的HBM世代。在生产模式上，三星计划将美国产出的基础裸片与韩国本土生产的DRAM配对，最终以成品HBM形式交付客户。

报道指出，AMD订单占据该厂产能大头，单其一家就足以撑满规划产能。这与双方近期合作扩大的趋势相符：2026年3月，三星与AMD签署谅解备忘录，确立为Instinct MI455X AI加速器的主要HBM4供应商；10月AMD CEO苏姿丰访韩时，三星也曾希望以HBM供应换取代工订单。英伟达方面的份额则存在不确定性——据早前报道，英伟达已要求三星、SK海力士和美光将其下一代定制NVHBM的基础裸片统一交由台积电以3纳米工艺代工，以实现跨供应商的标准化，这可能限制英伟达在三星泰勒二厂的订单规模。