英特尔公布了一项名为XBM的新专利技术，该方案旨在成为替代HBM4的方案，有望以更低成本提供更高的带宽。

XBM全称扩展带宽内存，属于DRAM内存方案，其封装尺寸将与HBM4保持一致，每颗芯片的容量可在0.5GB-5GB之间，搭载32GT/s速率的UCIe通用芯粒互联接口。

XBM最核心的突破在于制造工艺的迁移：传统DRAM的存储单元制作于前段制程（FEOL），也就是原生用于制作晶体管的底层硅基底；而XBM将1T1C存储单元转移至后段制程（BEOL），布置在晶体管上层的金属通孔堆叠区域，并采用薄膜晶体管工艺。

值得注意的是，该专利的侧重点不在于存储单元本身，而在于定制化封装方案：英特尔推出封装集成内存（MoP）与反向悬垂结构，优化Z轴堆叠高度。传统MoP会增加300-350微米厚度，新结构可降低堆叠高度，取消防翘曲加固筋，由电压调节器直接为DRAM供电，实现更小体积、更低成本的封装形态。

据悉，XBM技术的商业化时间预计将在2030年之后。