据多家韩媒报道，三星电子计划在其位于韩国京畿道器兴的园区内新建一座DRAM晶圆工厂。该项目规划月产能约为10万片晶圆，总投资规模预计将达到数十万亿韩元，施工最早可能于2026年第三季度启动。

据悉，此次新建工厂的选址地块原本规划用于建设研发中心。分析认为，三星电子将这块地调整为生产设施，主要是为了应对人工智能基础设施投资热潮下持续攀升的存储芯片需求。

器兴园区在三星电子的半导体发展史上具有标志性意义。该园区自1983年投入运营，是韩国运营时间最长的半导体生产基地之一，也是三星电子半导体业务的起点。1992年，三星在这里开发出全球首款64Mb DRAM芯片。近年来，该园区主要负责成熟制程节点的生产。2022年，三星在器兴园区内动工兴建了一个名为NRD-K的大型研发中心，预计将在2028年至2030年间完全建成。此次计划新建的DRAM工厂，是在该研发中心之外，于园区内另辟地块建设的大规模生产设施。

目前，三星电子正同时在多个基地推进产能扩张。除了器兴项目，其平泽园区目前是HBM生产的核心基地，计划将京畿道龙仁半导体集群内首座晶圆厂的投产时间提前至2029年，此外，还将在光州、忠清地区推进先进半导体晶圆厂的建设。