消息称三星电子计划将4F²技术应用于3D DRAM
Andy 2026-10-15 17:43据韩媒报道,三星电子首席技术官(CTO)兼总裁Song Jaehyuk近日确认,三星电子也在开发4F²技术。
三星电子表示,他们已经对 4F² 技术进行了大约五年的研究,内部正将其推进为“垂直通道晶体管 (VCT) DRAM”形式,这种形式将单元结构垂直排列。
据业内人士透露,三星电子计划将4F²技术应用于其下一代3D DRAM和垂直结构工艺节点“D0a”,该项目内部代号为“D0a-V”。
据韩媒报道,三星电子首席技术官(CTO)兼总裁Song Jaehyuk近日确认,三星电子也在开发4F²技术。
三星电子表示,他们已经对 4F² 技术进行了大约五年的研究,内部正将其推进为“垂直通道晶体管 (VCT) DRAM”形式,这种形式将单元结构垂直排列。
据业内人士透露,三星电子计划将4F²技术应用于其下一代3D DRAM和垂直结构工艺节点“D0a”,该项目内部代号为“D0a-V”。