据韩媒dealsite报道，SK海力士正在加快提升其10纳米第六代（1c）DRAM的竞争力，用于该工艺的极紫外（EUV）设备投资也比原计划增加了约三倍。

业内人士透露，SK海力士正集中精力推进1c DRAM技术的发展，以应用于第七代高带宽内存（HBM）HBM4E核心芯片，并计划于今年交付样品。由于HBM的最大客户英伟达计划于明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士必须加快研发步伐。

此前，SK海力士一直采用的策略是将现有的1b DRAM工艺应用于HBM3E和HBM4，同时优先使用1c工艺生产DDR5、LPDDR5X和GDDR7等通用DRAM。这一策略旨在确保HBM开发的稳定性，并为先进工艺提供参考。然而，随着近期1c DRAM良率的提升，该公司正在扩大HBM的应用范围，并加大相关投资。

业内人士透露，SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已升至80%。

基于目前的技术竞争力，用于1c DRAM的EUV设备投资也大幅增加。SK海力士此前披露，已从ASML采购了价值约12万亿韩元的EUV光刻设备。SK海力士今年的设备投资预计约为20万亿韩元，这意味着超过一半的资金都投入到了EUV设备中。有消息称，SK海力士收到的 EUV 数量比原计划增加了三倍多。

SK 海力士预计将在正在进行 1c DRAM 工艺转换的生产线上部署 EUV光刻机，包括清州 M15X、利川 M16 和龙仁半导体集群一期工厂。

此外，继 1a DRAM 采用一层 EUV 光刻技术、1b DRAM 采用四层之后，SK海力士计划将 1c DRAM 的 EUV 光刻层数增加到五层或更多。三星电子最初曾考虑在 1c DRAM 中采用多达八到九层 EUV 光刻技术，但考虑到成本，最终调整至类似的层数。

与此同时，SK海力士也正通过这项投资加速扩大其1c DRAM产能。该公司计划今年将其超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品，预计到年底将确保约19万片的产能。