SK海力士(SK Hynix)今日发布全球最大容量的16GB DDR4 NVDIMM非挥发性存储器。新品使用20奈米4Gb DDR4制成，处理速度达2133Mbps。NVDIMM结合DRAM和NAND Flash，意外停电或当机仍能时保存、回复资料，不怕数据突然消失。该公司预定明年上半量产新品。

韩媒报导，消息人士透露，由于存储器芯片(DRAM、NAND Flash)营销市况优于系统半导体，三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)都瞄准此一领域，拓展获利。两家公司都把重点放在增加生产效率、确保微缩制程；而非发展半导体设计，因应台积电等晶圆代工厂的威胁。