据业界消息，美光正大举扩张高带宽内存（HBM）生产能力，计划到今年年底前将HBM月产能提升至约10万片晶圆，较去年接近翻倍，以此缩小与SK海力士和三星电子的产能差距。

据业内知情人士透露，美光计划在今年年底前新增最多6万片晶圆的HBM产能。2025年其HBM月产量约为4万至5万片，这意味着新增产能将超过原有基数，总产能规模有望达到约月10万片。

为实现上述目标，美光正向多家HBM制造设备供应商增加采购订单，相关设备持续运入其中国台湾地区和新加坡工厂。目前，美光HBM封装业务主要在中国台湾铜锣厂和新加坡兀兰厂推进，日本广岛工厂的设备投资也在筹备之中。

在产品结构上，美光正快速向HBM4 12层倾斜。目前其HBM产量仍以HBM3E 12层为主，但据悉HBM4 12层的占比将从今年初的20%-30%，提升至年底的最高50%。

HBM4 12层是英伟达最新AI加速器"Vera Rubin"的配套内存，美光已于今年第二季度启动该产品量产。美光CEO桑杰·梅赫罗特拉在今年6月的业绩电话会议上表示，HBM4 12层的量产爬坡速度约为HBM3E 12层的两倍，HBM4累计出货收入已突破10亿美元。

美光加码HBM产能，也侧面印证了AI内存需求的旺盛。以英伟达为代表的AI芯片厂商对HBM需求强劲，供给仍跟不上需求节奏。在此背景下，要最大化HBM业务收益，就必须有充足的产能作为支撑。