存储器价格血流成河的惨况，明年应该不会上演！韩媒报导，制造商和市场趋势都显示，明年DRAM和NAND Flash供需情况将维持稳定，存储器业有望一路好到2015年。

韩媒报导，三星电子(Samsung Electronics)30日反驳存储器市场可能有供给过剩问题，该公司主管Lee Myeong-jin表示，明年存储器增产有限，预估需求和供给将维持稳定，并直说无意掀起价格战。

与此同时，SK海力士(SK Hynix)23日预估，明年DRAM和NAND Flash位元成长率(bit growth)分别为24-26%、40%。该公司内部人士透露，DRAM大厂将调整产品组合，冲刺利润，而非扩产拼产能。

美光(Micron)9月也预估，明年DRAM和NAND Flash位元成长率各为21-26%、37-46%。半导体高层指出，如果DRAM和NAND Flash位元成长率分为20%、40%，表示存储器供需状况非常稳定。

SK海力士总裁Kim Joon-ho在23日法说会上表示，预期第四季DRAM出货季增率将介于14~16%、NAND芯片介于24~26%。展望明年，海力士将专注于利润极大化，而不再只是一昧追求市占率上的表现。

曾报导，三星电子(Samsung Electronics Co.)执行长兼副董事长权五铉表示，半导体产业明年不会爆发价格战，绝对不会出现「懦夫博弈(game of chicken)」现象。

韩媒7日报导，三星半导体产线短期内产能充足，突然增建平泽新厂引发不少揣测。股市分析师称，三星没有理由加速生产，很有可能是为了配合当局政策才作出决定。南韩京畿道政府资料显示，京畿道知事Nam Gyeong-pil 8月曾与三星接班人李在镕以及副董事长权五铉(Kwon Oh-hyun)会面，要求三星增加投资。