根据韩国媒体报道， 当前旗舰手机的存储芯片大多使用eMMC 5.0规范，理论最大传输速度可达400MB/s。考虑到传输速度的局限性，三星内部人士表示，明年三星在下代产品中将采用UFS 2.0规范的存储芯片，其理论传输速度高达1.2GB/s。

媒体援引三星内部人士表示，采用UFS存储芯片的智能手机或将于明年上市。可能会率先出现在三星Galaxy S6手机上。而三星的UFS计划不仅在 Galaxy S6，据悉该公司将逐步在旗舰手机和平板上以UFS 2.0取代传统的SD卡和Micro SD卡。据了解，UFS 2.0使用的为串行界面，支持全双工运行，支持指令队列，可实现同步读取和写入的操作，期间的电源管理也会变得更高效。至于该芯片具体如何，需要产品面市之后才能进一步了解。