三星推出20nm工艺8Gb LPDDR4
Helan 2014-12-24 10:43据外媒报道，三星电子日前宣布，已经成功量产了全球第一个8Gb(1GB)容量的新一代LPDDR4移动内存颗粒，新一代LDDR4采用了三星最新的20nm制程工艺，节能方面比LPDDR3高出40%。
三星表示，LPDDR4内存颗粒在去年就已经量产，不过当时采用的是2xnm工艺，现在生产的8Gb(1GB)新代LPDDR4内存颗粒采用的是20nm工 艺。这种新型颗粒的频率达3200MHz，相比于2xnm 4Gb(512MB) LPDDR3内存颗粒不仅容量翻了一番，性能也提高了一倍。
另外，由于LPDDR4内存颗粒的电压降至1.1V，侧更为节能。同样是2GB容量的芯片，LPDDR4封装而来的就要比LPDDR3封装而来的节能最多 40%。同时三星在提交的LPDDR4标准规范中，还纳入了低电压摆幅中断逻辑(LVSTL) I/O界面技术。
三星称，新一代LPDDR4移动内存颗粒还可以支持4K超高清视频的录制和播放，以及2000+万像素照片的连拍。目前三星已经开始出货分别基于8Gb、4Gb颗粒的2GB、3GB LPDDR4内存芯片，4GB LPDDR4则会在2015年初交付。
