资策会MIC表示，明年包括美光、三星、海力士及台积电等半导体大厂，持续精进推出3D IC封装技术。

资策会产业情报研究所(MIC)指出，全球首颗3D IC异质整合芯片HMC(Hybrid Memory Cube)，将在明年正式量产，由存储器大厂美光(Micron)和三星(Samsung)为首的混合存储器立方联盟(HMCC)推出。

资策会MIC表示，混合存储器立方HMC，以3D IC技术堆栈多层动态随机存取存储器(DRAM)和一层逻辑芯片，属于异质整合芯片。

另一方面，资策会MIC指出，存储器大厂海力士(Hynix)明年也将推出高频宽存储器HBM(High Bandwidth Memory)，以3D IC技术堆栈四层DRAM，属于同质整合芯片。

台积电明年在3D IC领域，也可望明显进展。资策会MIC表示，台积电明年推出最新的InFO(Integrated Fan Out)封装技术，成本将低于目前2.5D IC层级的CoWoS技术。

MIC指出，台积电InFO封装技术，可因应物联网及穿戴式设备所需芯片轻薄短小趋势。