2015年DRAM转进20nm 市场供需健康
Helan 2015-01-23 12:20内存厂表示，2015年DRAM将面临工艺转进20nm及规格转向DDR4两大转折点，由于20奈米制程技术难度高，机台设备十分昂贵，目前各厂新制程转换速度慢，导致新产能供给有限，预期2015年DRAM市场仍将供需健康。
内存厂表示，由于苹果(Apple)新一代iPhone内建移动式内存容量将倍增至2GB，使得2015年内存大厂产能配置纷以移动式内存为主，并看好苹果将是2015年DRAM产业最大消耗者，大陆手机品牌大厂亦跟进，内建移动式内存容量甚至将提升至3~4GB。
DRAM产业已连续两年交出不错成绩单，2015年终端需求有苹果消耗DRAM芯片产能大幅增加，在供给端关键则将是DRAM产业20奈米制程技术转换。内存大厂认为，20奈米制程难度相当高，且机台设备昂贵，晶圆厂由30奈米转至20奈米制程，产能恐将减损20~30%，很多内存大厂都必须要扩产，才能符合原本的产能水平。
目前各大内存厂转进20奈米制程脚步上，只有三星电子(Samsung Electronics)火力全开，三星从25奈米制程转进20奈米制程时程，预计会在第2季进入量产，初期主要生产PC DRAM芯片，之后会陆续转入服务器内存芯片，至于现有针对移动式内存量身打造的23奈米制程，未来亦会陆续转进20奈米制程。
半导体大厂表示，DRAM制程技术发展至此，业界纷关注20奈米制程会不会是DRAM技术的末代制程，因为DRAM技术到20奈米制程已非常接近摩尔定律的极限，各家内存厂虽秘密在研发1x奈米制程技术，或是发展20奈米制程的微缩版本，但可否商业化量产仍待进一步观察。
