东芝/Hynix携手研发奈米压印技术
Helan 2015-02-06 09:31全球第2大NAND型闪存(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)5日发布新闻稿宣布，为加快次世代半导体露光技术「奈米压印技术(Nano-imprint Lithography；NIL)」的研发脚步，已和南韩半导体大厂SK海力士(SK Hynix)正式签署契约，双方技术人员将自2015年4月起透过东芝横滨事业所携手研发NIL制程的关键技术，目标为在2017年实用化。
东芝于去年12月和SK Hynix就NAND Flash侵权案一事达成和解，Hynix除同意支付东芝2.78亿美元(约330亿日圆)和解金外，双方当时也宣布将携手研发被称为「奈米压印(Nanoimprint)」的次世代半导体露光技术。
据日经新闻指出，东芝已于2014年开始量产全球最先端的15nm NAND Flash产品，而就现行技术来看，15nm接近内存电路线幅细微化的极限，而东芝期望藉由研发NIL技术、突破细微化极限，让已逼近极限的电路线幅能进一步细微化，以藉此提高产品性能及成本竞争力。
日经指出，东芝目前已和Canon携手研发NIL制造设备，而东芝和SK Hynix于NIL制程技术的研发成果也将回馈至制造设备的研发上。
另据日刊工业新闻指出，东芝期望藉由NIF技术的实用化来降低3D NAND Flash的成本。
