上游芯片厂NAND Flash工艺已在2013年全面提升到1xnm，2014年1xnm开始向1ynm切换。三星2014上半年大规模采用19nm量产，单颗TLC Die容量从16Gb到128Gb，16nm在6月份小批量出货，TLC容量从32Gb到128Gb，并开始规划2015年Q2 生产14nm，容量从32Gb到128Gb。东芝/SanDisk在2014年主力量产的是19nm工艺，2015年Q1开始主力量产15nm工艺，其中128Gb TLC可以生产MicroSD闪存卡，很容易实现128GB的MicroSD闪存卡市场化。

数据来源：中国闪存市场

美光L8X系列20nm MLC工艺在2014下半年转向18nm L9X系列，单颗Die容量从32Gb到128Gb，20nm TLC工艺量产的B85T品质不够稳定，基本只供应给LAXER生产，很少销售给模组厂，所生产的L9X系列主要用于生产嵌入式eMMC和SSD，L84（长方形Die设计）能够做MicroSD卡但是18nm L94（正方形Die设计）却不能做MicroSD卡，说明美光的NAND Flash设计应用方向已不是以消费类存储为导向，而是以嵌入式和SSD为主要方向。SK海力士在2014年全面从20nm 切入16nm工艺，2014上半年以MLC量产为主，容量为16Gb到64Gb，在2015上半年增加NAND Flash产品线：TLC 容量有64Gb和128Gb，由于128Gb TLC品质和性能优异，重点是用来做SSD产品。

数据来源：中国闪存市场

上游芯片厂1ynm工艺，不仅能量产高容量128Gb的Flash Die，与上一代1xnm工艺相比，每片晶圆Flash Die产量至少能增加25%，生产成本将迅速下滑。以最大的两个Flash原厂三星和东芝工艺为例，一个12吋晶圆，三星采用19nm工艺估计可以切割出600颗64Gb MLC Die，采用16nm工艺切割同容量Die的数量可增加至750颗，单片晶圆的产量提升了25%；东芝采用19nm工艺大约能产出960颗32Gb MLC Die，到1ynm工艺可量产1200颗，产量同样增加了25%。