虽然南韩DRAM厂商传出增产，但分析师认为，制程转换将导致产能减损，业界的整体总产能仍将下滑。

美国知名财经网站霸荣(Barron`s.com)14日报导，J.P.摩根发表研究报告指出，移动DRAM需求明显攀高、已在今(2015)年首度超越PC DRAM，其中LPDDR4成为高阶智能型手机的主流内建规格，估计苹果(Apple Inc.)、三星电子(Samsung Electronics)的高阶智能机未来两年会占整体智能机移动DRAM需求的40%以上。

因此，J.P.摩根预估，在iPhone容量升级逾2GB、64位元应用处理器/Android 5.0带动Android智能机阵营升级的提振下，移动DRAM的容量成长率会加快到2016年。

另外，厂商由PC DRAM转为移动DRAM、DDR3转为DDR4这两大主流趋势，会各自导致良率折损10%以上，再加上制程技术转换至20奈米所损失的产能，预估就算三星、SK海力士(SK Hynix)决定增产，整体业界的DRAM总产能也会年减至少3%，进而让2015年DRAM位元供应量的成长率限制在30%以下，不如2014年的35%。

J.P.摩根预估，2014-2016年期间，NAND存储器的整体销售额复合年增率(CAGR)将达11%，高于DRAM的8%。由于DRAM业者的营收与股价有高度关联性，而该证券又预期DRAM、NAND存储器销售额会在今(2015)年第2季呈现季增，因此存储器类股最近有望反弹。