跟随三星电子(Samsung Electronics)脚步，SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)等NAND Flash大厂都将在今年底量产3D NAND，估计3D NAND有望在今年下半起飞，明年全面蓬勃发展。

韩媒报导，SK海力士将在今年第三季开始量产36层的3D NAND芯片，之后还将研发第三代(48层)3D NAND芯片。该公司也会积极进军采用NAND Flash技术的固态硬盘(SSD)，计划在第三季量产，目标今年底前3D TLC NAND SSD销售，占总体SSD销售的20~30%。

三星是首家量产第二代(32层)「三层式储存(TLC)3D NAND」芯片业者，由于堆栈层数越多，能省下更多固定开支，且不需额外投资微缩制程，利润更加丰厚，各家业者因此积极研发更多层数的3D NAND。

NAND Flash二哥东芝(Toshiba)和SanDisk合作护盘，东芝和韩厂不同，采用多层式储存(MLC)技术，预计明年在日本四日市工厂，量产48层的3D NAND芯片。与此同时，美光则和英特尔(Intel)携手，拟于今年底生产32层的MLC NAND芯片与TLC NAND芯片。

业界专家认为，3D NAND明年将大幅成长，因为3D NAND在今年下半进入量产，需要3D NAND的高容量产品需求也快速成长，如SSD、移动NAND等。

IHS 13日报告称，三星电子稳居NAND Flash老大，去年销售年增4%至90.84亿美元，市占率成长0.1%至36.5%。二哥东芝去年市占率由34.3%减至31.8%，销售也大减将近3亿美元。业界盛传，东芝销量大减主因不受苹果垂青，MacBook Air笔电内建的东芝固态硬盘(SSD)故障，去年10月遭全面召回。

NAND Flash老三美光成长动能最强，去年市占率达18.9%；老四SK海力士则为12.8%。NAND Flash均价走低，三星电子和美光销售仍有成长的主因是，用于SSD的NAND产品单价较高。同时生产NAND和SSD产品的业者，在NAND价格下滑时，SSD获利提高。业界估计，三星电子和美光的SSD毛利为30~40%。