据台媒报道，有消息称台积电3nm改良型「N3E」制程的良率进度，似乎比原本规划还要快。

报道称，据网络上流传的台积电内部投影片显示，N3E的研发状况良好且进度超前。其中，256Mb SRAM平均良率接近80%、移动与高效能运算(HPC)逻辑测试芯片的平均良率接近80%，而良率验证的环形振荡器(R.O)则超过92%。

据悉，N3E是台积电3nm制程「N3」的改良版，台湾地区有消息称，N3预定9月量产。外泄的投影片暗示，N3E SRAM的良率显著高于N3。台积电以改良过的制程窗口(Process Window)设计N3E，晶体管密度略低，因此能获得较高的良率。N3E的其他优点则是更快的频率速度及更少的耗电量。