三星电子7日宣布，位于平泽地区的P3工厂的NAND Flash产线已正式开始运营。

三星电子平泽园区P3是世界上最大的半导体工厂，从 NAND Flash开始全面运营。随着P3线的投产，自2002年以来一直保持市场份额第一的三星电子有望进一步巩固其在NAND Flash市场的主导地位。继 P3 NAND Flash产线之后，三星电子计划依次建设 DRAM 和晶圆代工产线。

自今年 5月以来，三星电子一直在为其 NAND Flash生产线引入设备。7月NAND Flash量产设施竣工，晶圆投入开始运营。未来根据市场需求，三星计划在平泽3号线扩建和建设基于EUV工艺的DRAM和5纳米以下代工工艺等各种先进生产设施。

为了及时应对未来的半导体需求，三星电子也已开始筹备P4工厂的开工。虽然尚未确定平泽P4工厂和适用产品的具体开工日期，但三星电子表示，它正在推进基础工作，以便能够快速应对未来半导体市场的需求变化。

三星电子总裁Kye-hyeon（DS部门负责人）表示：“我认为稳健投资而不是依赖半导体市场行情是三星电子更合适的投资方向。"“如果存储半导体技术领先其他竞争对手一代，我们可以降低10%的生产成本和10%的价格。这是三星电子一直在做的事情，未来将继续保持这一战略。”