据日媒报道，台湾晶圆代工力积电将和日本新创企业合作，目标在2029年量产磁阻式随机存取存储器(MRAM、Magnetoresistive Random Access Memory)，将利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工程产线进行量产。

报道称，力积电将在2024年上半年和发源于日本东北大学、从事半导体技术研发的新创企业「Power Spin」进行合作，目标量产MRAM。东北大学长年来持续研究MRAM，而Power Spin将提供MRAM IP给力积电，力积电在推动研究、试产后，目标在2029年开始进行量产，期待可应用于生成式AI用数据中心。

理论上来说，MRAM耗电力可压低至现有存储器(DRAM、NAND Flash)的1/100，且写入速度快、即使切断电源数据也不会消失，不过除了制造成本高之外，与现有存储器相比，其耐久性、可靠性等问题仍需克服，力积电计划通过量产降低MRAM成本。