据韩媒报道，SK海力士负责良率的副总裁权在淳近日在接受英国《金融时报》采访时表示，“我们已成功将HBM3E芯片量产所需的时间缩短了50%。这些芯片的良率已几乎达到80%的目标。”

这是SK海力士首次公开披露HBM3E的产量信息。此前，业界预计SK海力士的HBM3E良率在60%-70%之间。

权副总裁强调：“我们今年的目标是专注于生产8层HBM3E。在人工智能时代，提高产量对于保持领先地位变得更加重要。”

HBM 制造需要垂直堆叠多个 DRAM，因此工艺复杂度比标准 DRAM 更高，尤其是 HBM3E 的关键部件硅通孔 (TSV) 良率一直很低，仅为 40% 至 60%，因此其改进面临巨大挑战。

继为 AI 半导体龙头英伟达提供近乎独家的 HBM3 供应后，SK 海力士于 3 月开始供应 8 层 HBM3E 产品，并计划于今年第三季度供应 12 层 HBM3E 产品。12 层 HBM4（第六代）计划于明年下半年推出，16 层版本预计将于 2026 年投入生产。

SK 海力士快速开发下一代 DRAM 的动力源于快速增长的 AI 市场。SK 海力士预测，到 2028 年，主要用于 AI 应用的 HBM 和高容量 DRAM 模块产品将占据整个内存市场 61% 的市场份额。