据日媒报道，铠侠将在2026年量产第10代NAND，并将采用低温蚀刻的新技术，可在比以往更低温的环境中进行蚀刻。

报道称，这种方式可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔（memoryhole），以更快的时间形成，因此能提高单位时间的生产量。

目前，Lam Research 3D NAND蚀刻设备几乎独占整个市场。若以金额计算，蚀刻设备在制程中所占比例最高。而东京电子在2023年成功研发了-40℃低温蚀刻技术，可在NAND制程中形成400层以上的存储通孔，有望从Lam Research手中分得一杯羹。