美光日前表示，目前正积极强化HBM技术并同步扩充产能，预期能在2025自然年达到约同于美光DRAM市占率的相同水准，也就是约为20-25% 。

美光表示，公司产能布局全球，日本广岛也是考虑扩充地点之一，目前HBM3E 进展顺利，预期未来将贡献一定获利，市占率也会与现有市占率差不多，强调客户对公司的HBM3、HBM3E都很有兴趣。

HBM4方面，美光也已着手开发，会考虑采用包括混合键合在内等相关技术，目前一切都在研究中，并表示，HBM3E的成功得益于公司具备先进封装、设计能力，并整合自家制程，让产品进入市场的时程能够维持领先地位。