据韩媒报道，据三星内部和业内消息人士称，三星电子将在年内推出高带宽存储器（HBM）的三维（3D）封装服务，预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。

三星近日公布了其最新的芯片封装技术和服务路线图。这是三星首次在公开活动中发布 HBM 芯片的 3D 封装技术。目前，HBM 芯片主要采用 2.5D 技术封装。 

三星最新的封装技术将 HBM 芯片垂直堆叠在 GPU顶部，以进一步加速数据学习和推理处理，这项技术被视为快速增长的 AI 芯片市场的变革者。

目前，HBM芯片在2.5D封装技术下与硅中介层上的GPU水平连接。相比之下，3D 封装不需要硅中介层或位于芯片之间的薄基板，以使它们能够通信和协同工作。3D 封装降低了功耗和处理延迟，提高了半导体芯片电信号的质量。

三星将其新封装技术称为 SAINT-D，即三星先进互连技术-D的缩写。

三星将提供交钥匙3D HBM封装。三星先进封装团队将垂直互连其存储业务部门生产的 HBM 芯片与其代工部门为无晶圆厂公司组装的GPU。

2027年，三星计划推出一体化异构集成技术，将可大幅提高半导体数据传输速度的光学元件整合到一个统一的 AI 加速器封装中。